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韓國(guó)研發(fā)出新型半導(dǎo)體材料
時(shí)間：2018-01-22 來源：科技部
韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院發(fā)布消息稱，該院光電材料研究小組將鎢硒2維納米膜與1維氧化鋅納米線雙重結(jié)合，研發(fā)出能感知從紫外線到近紅外線的下一代光二極管元件。該研究成果在國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《Advanced Functional Materials》(IF)上刊登。
光二極管元件是影響手機(jī)攝像頭、數(shù)碼相機(jī)像素的重要部分，在攝像頭中使用的圖像傳感器可通過光二極管元件感知光線后轉(zhuǎn)換成電子信號(hào)，然后通過芯片對(duì)信號(hào)進(jìn)行處理。低維納米半導(dǎo)體材料是未來半導(dǎo)體材料的主要發(fā)展方向。
此次研究組使用的鎢硒2維納米膜屬于硫?qū)僭氐囊环N，是可以在柔軟顯示屏、傳感器、柔軟電子元件使用的2維壓層結(jié)晶納米P型半導(dǎo)體材料，具有持久耐用、準(zhǔn)確性高的特點(diǎn)。而1維氧化鋅(ZnO)納米線，是一款可應(yīng)用于高性能電子芯片的n型半導(dǎo)體材料，具有極佳的電子移動(dòng)特性。研究組運(yùn)用化學(xué)氣象沉積方法將合成的1維氧化鋅納米線與2維納米膜混合形成（PN）型光二極管元件，將其運(yùn)用到圖像傳感器像素中。
研究組負(fù)責(zé)人表示，此次研發(fā)的新型元件，將進(jìn)一步推動(dòng)以納米半導(dǎo)體像素為基礎(chǔ)的下一代圖像傳感器元件的商業(yè)化進(jìn)程。
