國際爭先 明星云集！第三代半導體主題論壇“C位”閃耀BCEIA2021
導讀：以氮化鎵、金剛石等為代表的第三代半導體是制備高光效光電器件和大功率電子器件的優(yōu)選材料體系，在固態(tài)照明、5G通訊、新能源汽車、智能顯示等新一代信息產(chǎn)業(yè)中極具發(fā)展?jié)摿Γ侨虬雽w產(chǎn)業(yè)的重點發(fā)展方向。
2021年9月27日，兩年一度的科學儀器行業(yè)盛會——第十九屆北京分析測試學術(shù)報告會暨展覽會（簡稱BCEIA 2021）在北京·中國國際展覽中心盛大開幕。會議同期舉辦了半導體檢測與標準論壇會議，該論壇由中國分析測試協(xié)會、中國有色金屬學會理化檢驗學術(shù)委員會主辦。 會議圍繞第三代半導體材料與工藝、第三代半導體物理與器件、第三代半導體測試評價技術(shù)與儀器、第三代半導體產(chǎn)業(yè)中的質(zhì)量基礎設施建設等報告方向，邀請到中科院半導體研究所研究員趙德剛、國合通用測試評價認證股份公司高級工程師劉紅、南京大學教授劉斌、中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員孫錢、歐波同（中國）有限公司經(jīng)理蘇瑞雪、西安電子科技大學教授張進成、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟高偉博士、清華大學副教授汪萊、武漢理工大學副教授張僑、中科院半導體研究所研究員閆建昌、北京大學高級工程師楊學林、國網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院楊霏。
會議現(xiàn)場
主持人：中國分析測試協(xié)會常務理事、中國有色金屬學會理化檢測委員會委員 孫澤明
報告人：南京大學教授 劉斌
報告題目：《新結(jié)構(gòu)氮化鎵基Micro-LED器件制備與應用》
報告人：國合通用測試評價認證股份公司高級工程師 劉紅
報告題目：《半導體材料中痕量雜質(zhì)元素的分析》
報告人：南京大學教授 劉斌
報告題目：《新結(jié)構(gòu)氮化鎵基Micro-LED器件制備與應用》
報告人：中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員 孫錢
報告題目：《硅基GaN功率電子器件及材料研究進展》
從專家們的報告中可以看出，我國當前在第三代半導體領(lǐng)域發(fā)展速度驚人，具有國際影響力的創(chuàng)新性和突破性的成果頻出，并取得了國際同行的高度認可。以氮化鎵、金剛石等為代表的第三代半導體是制備高光效光電器件和大功率電子器件的優(yōu)選材料體系，在固態(tài)照明、5G通訊、新能源汽車、智能顯示等新一代信息產(chǎn)業(yè)中極具發(fā)展?jié)摿Γ侨虬雽w產(chǎn)業(yè)的重點發(fā)展方向。如何緊密圍繞國家戰(zhàn)略導向與產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求，推動我國第三代半導體及其相關(guān)產(chǎn)業(yè)的進一步發(fā)展，進一步提升材料質(zhì)量與器件性能水平，實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)自主可控，在尺寸單晶襯底、硅基氮化鎵、微型發(fā)光二極管、紫外發(fā)光/探測器件、射頻/功率電子器件、器件失效分析、高純材料檢測等前沿領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，是本次會議的核心重點；國內(nèi)優(yōu)秀中青年科學家也借此機會探討我國第三代半導體發(fā)展中存在的問題及未來技術(shù)發(fā)展方向。
儀器信息網(wǎng)供稿
