國際爭先 明星云集！第三代半導體主題論壇“C位”閃耀BCEIA2021
導讀：以氮化鎵、金剛石等為代表的第三代半導體是制備高光效光電器件和大功率電子器件的優選材料體系，在固態照明、5G通訊、新能源汽車、智能顯示等新一代信息產業中極具發展潛力，是全球半導體產業的重點發展方向。
2021年9月27日，兩年一度的科學儀器行業盛會——第十九屆北京分析測試學術報告會暨展覽會（簡稱BCEIA 2021）在北京·中國國際展覽中心盛大開幕。會議同期舉辦了半導體檢測與標準論壇會議，該論壇由中國分析測試協會、中國有色金屬學會理化檢驗學術委員會主辦。 會議圍繞第三代半導體材料與工藝、第三代半導體物理與器件、第三代半導體測試評價技術與儀器、第三代半導體產業中的質量基礎設施建設等報告方向，邀請到中科院半導體研究所研究員趙德剛、國合通用測試評價認證股份公司高級工程師劉紅、南京大學教授劉斌、中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員孫錢、歐波同（中國）有限公司經理蘇瑞雪、西安電子科技大學教授張進成、第三代半導體產業技術創新聯盟高偉博士、清華大學副教授汪萊、武漢理工大學副教授張僑、中科院半導體研究所研究員閆建昌、北京大學高級工程師楊學林、國網全球能源互聯網研究院楊霏。
會議現場
主持人：中國分析測試協會常務理事、中國有色金屬學會理化檢測委員會委員 孫澤明
報告人：南京大學教授 劉斌
報告題目：《新結構氮化鎵基Micro-LED器件制備與應用》
報告人：國合通用測試評價認證股份公司高級工程師 劉紅
報告題目：《半導體材料中痕量雜質元素的分析》
報告人：南京大學教授 劉斌
報告題目：《新結構氮化鎵基Micro-LED器件制備與應用》
報告人：中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員 孫錢
報告題目：《硅基GaN功率電子器件及材料研究進展》
從專家們的報告中可以看出，我國當前在第三代半導體領域發展速度驚人，具有國際影響力的創新性和突破性的成果頻出，并取得了國際同行的高度認可。以氮化鎵、金剛石等為代表的第三代半導體是制備高光效光電器件和大功率電子器件的優選材料體系，在固態照明、5G通訊、新能源汽車、智能顯示等新一代信息產業中極具發展潛力，是全球半導體產業的重點發展方向。如何緊密圍繞國家戰略導向與產業發展需求，推動我國第三代半導體及其相關產業的進一步發展，進一步提升材料質量與器件性能水平，實現關鍵技術自主可控，在尺寸單晶襯底、硅基氮化鎵、微型發光二極管、紫外發光/探測器件、射頻/功率電子器件、器件失效分析、高純材料檢測等前沿領域實現突破，是本次會議的核心重點；國內優秀中青年科學家也借此機會探討我國第三代半導體發展中存在的問題及未來技術發展方向。
儀器信息網供稿
