協(xié)會(huì)動(dòng)態(tài)
國(guó)際爭(zhēng)先 明星云集！第三代半導(dǎo)體主題論壇“C位”閃耀BCEIA2021
導(dǎo)讀：以氮化鎵、金剛石等為代表的第三代半導(dǎo)體是制備高光效光電器件和大功率電子器件的優(yōu)選材料體系，在固態(tài)照明、5G通訊、新能源汽車(chē)、智能顯示等新一代信息產(chǎn)業(yè)中極具發(fā)展?jié)摿Γ侨虬雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn)發(fā)展方向。
2021年9月27日，兩年一度的科學(xué)儀器行業(yè)盛會(huì)——第十九屆北京分析測(cè)試學(xué)術(shù)報(bào)告會(huì)暨展覽會(huì)（簡(jiǎn)稱(chēng)BCEIA 2021）在北京·中國(guó)國(guó)際展覽中心盛大開(kāi)幕。會(huì)議同期舉辦了半導(dǎo)體檢測(cè)與標(biāo)準(zhǔn)論壇會(huì)議，該論壇由中國(guó)分析測(cè)試協(xié)會(huì)、中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)理化檢驗(yàn)學(xué)術(shù)委員會(huì)主辦。 會(huì)議圍繞第三代半導(dǎo)體材料與工藝、第三代半導(dǎo)體物理與器件、第三代半導(dǎo)體測(cè)試評(píng)價(jià)技術(shù)與儀器、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的質(zhì)量基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)等報(bào)告方向，邀請(qǐng)到中科院半導(dǎo)體研究所研究員趙德剛、國(guó)合通用測(cè)試評(píng)價(jià)認(rèn)證股份公司高級(jí)工程師劉紅、南京大學(xué)教授劉斌、中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員孫錢(qián)、歐波同（中國(guó)）有限公司經(jīng)理蘇瑞雪、西安電子科技大學(xué)教授張進(jìn)成、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟高偉博士、清華大學(xué)副教授汪萊、武漢理工大學(xué)副教授張僑、中科院半導(dǎo)體研究所研究員閆建昌、北京大學(xué)高級(jí)工程師楊學(xué)林、國(guó)網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院楊霏。
會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)
主持人：中國(guó)分析測(cè)試協(xié)會(huì)常務(wù)理事、中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)理化檢測(cè)委員會(huì)委員 孫澤明
報(bào)告人：南京大學(xué)教授 劉斌
報(bào)告題目：《新結(jié)構(gòu)氮化鎵基Micro-LED器件制備與應(yīng)用》
報(bào)告人：國(guó)合通用測(cè)試評(píng)價(jià)認(rèn)證股份公司高級(jí)工程師 劉紅
報(bào)告題目：《半導(dǎo)體材料中痕量雜質(zhì)元素的分析》
報(bào)告人：南京大學(xué)教授 劉斌
報(bào)告題目：《新結(jié)構(gòu)氮化鎵基Micro-LED器件制備與應(yīng)用》
報(bào)告人：中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員 孫錢(qián)
報(bào)告題目：《硅基GaN功率電子器件及材料研究進(jìn)展》
從專(zhuān)家們的報(bào)告中可以看出，我國(guó)當(dāng)前在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展速度驚人，具有國(guó)際影響力的創(chuàng)新性和突破性的成果頻出，并取得了國(guó)際同行的高度認(rèn)可。以氮化鎵、金剛石等為代表的第三代半導(dǎo)體是制備高光效光電器件和大功率電子器件的優(yōu)選材料體系，在固態(tài)照明、5G通訊、新能源汽車(chē)、智能顯示等新一代信息產(chǎn)業(yè)中極具發(fā)展?jié)摿?，是全球半?dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn)發(fā)展方向。如何緊密?chē)@國(guó)家戰(zhàn)略導(dǎo)向與產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求，推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體及其相關(guān)產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展，進(jìn)一步提升材料質(zhì)量與器件性能水平，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)自主可控，在尺寸單晶襯底、硅基氮化鎵、微型發(fā)光二極管、紫外發(fā)光/探測(cè)器件、射頻/功率電子器件、器件失效分析、高純材料檢測(cè)等前沿領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，是本次會(huì)議的核心重點(diǎn)；國(guó)內(nèi)優(yōu)秀中青年科學(xué)家也借此機(jī)會(huì)探討我國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展中存在的問(wèn)題及未來(lái)技術(shù)發(fā)展方向。
儀器信息網(wǎng)供稿
